- Chip Samsung V-NAND 3bit MLC.
- Chuẩn giao tiếp PCIe Gen 3.0x4, NVMe 1.2 (partial)
- DRAM cache memory :
512MB LP DDR3 cho 250GB
- Bảo mật dữ liệu :
+ AES 256-bit Full Disk Encryption (FDE).
+ TCG/Opal V2.0, Encrypted Drive (IEEE1667).
- Tốc độ đọc: 3200 MB/s
- Tốc độ ghi: 1500 MB/s