Dòng sản phẩm SiC của Microchip bao gồm các mô-đun công suất dựa trên SBD (Schottky Barrier Diode) đã được kiểm chứng về mặt thương mại với các phiên bản 700, 1200 và 1700V. Dòng sản phẩm mô-đun công suất mới bao gồm nhiều tô-pô khác nhau, như là Dual Diode, Full Bridge, Phase Leg, Dual Common Cathode và cầu nối 3-Pha, cùng với việc cung cấp các lựa chọn khác nhau về dòng điện và đóng gói sản phẩm. Việc bổ sung các mô-đun SiC SBD đơn giản hóa các thiết kế bằng cách tích hợp nhiều đế đi-ốt SiC với lựa chọn kết hợp các vật liệu nền trong cùng một mô-đun – qua đó tối đa hóa hiệu suất chuyển mạch, giảm mức tăng nhiệt và thu nhỏ kích thước hệ thống.
Danh mục mô-đun SiC SBD 700, 1200 và 1700V linh hoạt sử dụng đế SiC thế hệ mới nhất của Microchip, qua đó tối đa hóa độ tin cậy và độ cứng vững của hệ thống đồng thời đảm bảo vòng đời ứng dụng lâu dài và ổn định. Hiệu năng cao của thiết bị cho phép các nhà thiết kế hệ thống hạ thấp nhu cầu về mạch bảo vệ (snubber circuits) trong khi độ ổn định của đi-ốt chính cho phép các thiết kế sử dụng đi-ốt chính bên trong mà không bị suy giảm hiệu năng trong dài hạn. Thông qua các phép đo kiểm nội bộ của Microchip cũng như của bên thứ ba, các thước đo kiểm độ tin cậy quan trọng đã chứng tỏ hiệu năng vượt trội của thiết bị Microchip so với các thiết bị SiC khác.
Các mô-đun công suất SiC SBD 700, 1200 và 1700V của Microchip đã được công bố và sẵn sàng để đặt hàng. Toàn bộ danh mục SiC được hỗ trợ bởi một loạt các model SiC SPICE, các thiết kế tham chiếu về bo mạch biến tần SiC cũng như thiết kế tham chiếu PFC Vienna. Các sản phẩm SiC của Microchip sẵn sàng với số lượng lớn cùng với các dịch vụ hỗ trợ kèm theo. Có sẵn nhiều lựa chọn về đế và đóng gói dành cho các sản phẩm đi-ốt SiC MOSFET và SiC.